2SK3431-ZJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK3431-ZJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 83 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Carga de la puerta (Qg): 110 nC
   Tiempo de subida (tr): 1800 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1400 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3431-ZJ

2SK3431-ZJ Datasheet (PDF)

5.1. Size:357K inchange semiconductor
2sk3431-z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3431-ZFEATURESDrain Current : I = 83A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.6m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

6.1. Size:206K renesas
2sk3431-s-z-zj.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

6.2. Size:283K inchange semiconductor
2sk3431-s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3431-SFEATURESDrain Current : I = 83A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.6m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

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Liste

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