2SK673 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK673
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK673 MOSFET
2SK673 Datasheet (PDF)
2sk674.pdf

"2SK674"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK674"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
2sk672.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK672 DESCRIPTION Drain Current ID= 10A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high Current, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA
Otros transistores... 2SK3433 , 2SK3433-S , 2SK3433-Z , 2SK3433-ZJ , 2SK643 , 2SK644 , 2SK646 , 2SK672 , P0903BDG , 2SK674 , 2SK678 , 2SK682 , 2SK683 , 2SK684 , 2SK1483C , 2SK1493-Z , 2SK1494-Z .
History: IRF6638PBF | KF5N50FR | HGN090NE6A | GSM4637W | P0865ETF | IXFK62N25 | HM16N50
History: IRF6638PBF | KF5N50FR | HGN090NE6A | GSM4637W | P0865ETF | IXFK62N25 | HM16N50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor