2SK673 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK673
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK673 MOSFET
2SK673 Datasheet (PDF)
2sk674.pdf
"2SK674"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK674"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
2sk672.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK672 DESCRIPTION Drain Current ID= 10A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high Current, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA
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History: BRFL8N65 | TP0101TS-T1
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