2SK674 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK674
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK674 MOSFET
2SK674 Datasheet (PDF)
2sk674.pdf

"2SK674"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK674"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
2sk672.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK672 DESCRIPTION Drain Current ID= 10A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high Current, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA
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History: CMPDM7002AHC | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | 2P979V | AP4501AGEM-HF
History: CMPDM7002AHC | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | 2P979V | AP4501AGEM-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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