IRF9632 Todos los transistores

 

IRF9632 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9632

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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IRF9632 datasheet

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PD- 95771 IRF9630SPbF Lead-Free 06/06/05 Document Number 91085 www.vishay.com 1 IRF9630SPbF Document Number 91085 www.vishay.com 2 IRF9630SPbF Document Number 91085 www.vishay.com 3 IRF9630SPbF Document Number 91085 www.vishay.com 4 IRF9630SPbF Document Number 91085 www.vishay.com 5 IRF9630SPbF Document Number 91085 www.vishay.com 6 IRF9630SPbF Peak Diode R

 8.2. Size:175K  international rectifier
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