2SK1503 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1503
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1503
2SK1503 Datasheet (PDF)
2sk1503.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1503 DESCRIPTION Drain Current ID=10A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=500 (Min) APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA
2sk1507.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1507DESCRIPTIONDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600 (Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor controls,relay and soleno
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Liste
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