2SK2639-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2639-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 35 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK2639-01 datasheet

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2SK2639-01

N-channel MOS-FET 2SK2639-01 FAP-IIS Series 450V 0,65 10A 100W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteri

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2SK2639-01

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2SK2639-01

Ordering number ENN5531B N-Channel Silicon MOSFET 2SK2632LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Low Qg. 2078B [2SK2632LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 1.2 0.7 0.75 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO220FI-LS Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditio

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2SK2639-01

Ordering number ENN6600 2SK2631 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2631 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Smaller amount of total gate charge. 2083B [2SK2631] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 4 Drain 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK2631] 6.5 2.3 5.0 0

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