2SK2639-01 Todos los transistores

 

2SK2639-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2639-01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2SK2639-01 Datasheet (PDF)

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2SK2639-01

N-channel MOS-FET2SK2639-01FAP-IIS Series 450V 0,65 10A 100W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteri

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2SK2639-01

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2SK2639-01

Ordering number:ENN5531BN-Channel Silicon MOSFET2SK2632LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Low Qg.2078B[2SK2632LS]4.510.02.83.20.91.21.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditio

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2SK2639-01

Ordering number : ENN66002SK2631N-Channel Silicon MOSFET2SK2631Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance. unit : mm Smaller amount of total gate charge. 2083B[2SK2631]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source4 : Drain2.3 2.3SANYO : TPunit : mm2092B[2SK2631]6.5 2.35.0 0

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History: HSS2310A | HY150N075T | PMR290XN | SI1304BDL | AOD4286 | IRFB4110 | CEP16N10L

 

 
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