2SK785 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK785

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 900 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247AD

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK785

2SK785 Datasheet (PDF)

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK783 FEATURES ·Drain Current –I =12A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 500V(Min) DSS ·Fast Switching Speed DESCRIPTION ·Designed especially for high voltage,high speed applications, such as switching power supplies . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

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