2SK785 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK785
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247AD
Búsqueda de reemplazo de 2SK785 MOSFET
2SK785 Datasheet (PDF)
2sk786.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
Otros transistores... 2SK3458 , 2SK3458-S , 2SK3458-ZK , 2SK775 , 2SK776 , 2SK777 , 2SK783 , 2SK784 , 20N60 , 2SK786 , 2SK788 , 2SK789 , 2SK790 , 2SK1377 , 2SK1378 , 2SK1379 , 2SK1380 .
History: IPP80N06S2-07 | PV551BA | IMZ120R090M1H | 2SJ419 | HFB1N65S | IRFP452FI | FDPF5N60NZ
History: IPP80N06S2-07 | PV551BA | IMZ120R090M1H | 2SJ419 | HFB1N65S | IRFP452FI | FDPF5N60NZ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321