2SK3889-01S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3889-01S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO263

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2SK3889-01S datasheet

 4.1. Size:153K  fuji
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2SK3889-01S

2SK3889-01L,S,SJ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 200406 Outline Drawings (mm) FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance See to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristic Absolute maximum ratings

 7.1. Size:357K  inchange semiconductor
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2SK3889-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3889S FEATURES Drain Current I = 9.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

 7.2. Size:283K  inchange semiconductor
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2SK3889-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3889L FEATURES Drain Current I = 9.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

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