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2SK3891-01R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3891-01R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 170 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 700 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PF

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2SK3891-01R Datasheet (PDF)

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2SK3891-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless othe

8.1. 2sk389.pdf Size:241K _toshiba

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 8.3. 3sk73 3sk77 2sk240 2sj75 2sk146 2sj73 2sk389 2sj109 2sk266 2sk455 2sk456 2sc3381 2sa1349.pdf Size:150K _no

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SMD Type MOSFETMOS Field Effect Transistor2SK3899TO-263Unit: mm+0.24.57-0.2+0.11.27-0.1FeaturesLow On-state resistanceRDS(on)1 =5.3mMAX. (VGS =10 V, ID =42A)+0.10.1max1.27-0.1RDS(on)2 =6.5 mMAX. (VGS =4.5 V, ID =42A)Low C iss: Ciss = 5500 pF TYP. +0.10.81-0.12.541Gate+0.22.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.4-0.22Drain3 SourceAbsolute Maximum Rating

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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