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2SK3774-01S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK3774-01S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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2SK3774-01S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
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2SK3774-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3774-01SFEATURESDrain Current : I = 32A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.13(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

 0.1. Size:357K  inchange semiconductor
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2SK3774-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3774-01SJFEATURESDrain Current : I = 32A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.13(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

 4.1. Size:146K  fuji
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2SK3774-01S

2SK3774-01L,S,SJN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistanceSee to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(T

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
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2SK3774-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3774-01LFEATURESDrain Current : I = 32A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.13(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

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