2SK874 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK874
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK874 MOSFET
2SK874 Datasheet (PDF)
2sk879.pdf
2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =
Otros transistores... 2SK3774-01S , 2SK3774-01SJ , 2SK903MR , 2SK930 , 2SK943 , 2SK944 , 2SK945 , 2SK949M , IRF1407 , 2SK903-M , 2SK872 , 2SK873 , 2SK152 , 2SK1521-E1-E , 2SK1522-E1-E , 2SK1523 , 2SK1524 .
History: KMB6D0DN30QA | AOD4504 | KMB8D0P30Q | WMO13N65EM | APT10035LFLLG | HY1707M | 2SK1521-E1-E
History: KMB6D0DN30QA | AOD4504 | KMB8D0P30Q | WMO13N65EM | APT10035LFLLG | HY1707M | 2SK1521-E1-E
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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