2SK1535 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK1535 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1535

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO220F

Búsqueda de reemplazo de 2SK1535 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK1535 datasheet

..1. Size:209K shindengen
2sk1535.pdf pdf_icon

2SK1535 2SK1535

8.1. Size:382K toshiba
2sk1530.pdf pdf_icon

2SK1530 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1530 Unit mm High-Power Amplifier Application High breakdown voltage VDSS = 200 V High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 200 V Gate-source voltage VGSS 20 V

8.2. Size:327K toshiba
2sk1531.pdf pdf_icon