2SK3684-01L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK3684-01L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3684-01L

2SK3684-01L Datasheet (PDF)

..1. Size:284K inchange semiconductor
2sk3684-01l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3684-01LFEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.38(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

0.1. Size:262K fuji
2sk3684-01l-01s-01sj.pdf

2SK3684-01L,S,SJ200309FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof ApplicationsP4 Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C

4.1. Size:358K inchange semiconductor
2sk3684-01s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3684-01SFEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.38(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

4.2. Size:358K inchange semiconductor
2sk3684-01sj.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3684-01SJFEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.38(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

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Liste

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