2SK3512-01L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3512-01L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO262

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2SK3512-01L datasheet

 0.1. Size:308K  fuji
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2SK3512-01L

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 2SK3512-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators P4 UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteris

 7.1. Size:283K  inchange semiconductor
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2SK3512-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3512L FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.52 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 7.2. Size:357K  inchange semiconductor
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2SK3512-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3512S FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.52 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

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