2SK3646-01L Todos los transistores

 

2SK3646-01L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3646-01L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: TO262

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2SK3646-01L datasheet

 0.1. Size:241K  fuji
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2SK3646-01L

2SK3646-01L,S,SJ 200304 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings (mm) Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof P4 Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unl

 7.1. Size:283K  inchange semiconductor
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2SK3646-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3646L FEATURES Drain Current I = 41A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 44m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 7.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3646s.pdf pdf_icon

2SK3646-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3646S FEATURES Drain Current I = 41A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 44m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

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History: ME60P06T | AOTF4126 | GC11N65T | AP2N050H | WSR7N65F | RW1E015RP | N6005D

 

 

 

 

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