2SK3888-01MR Todos los transistores

 

2SK3888-01MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3888-01MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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2SK3888-01MR datasheet

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2SK3888-01MR

2SK3888-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406 TO-220F FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristic Absolute maximum ratings (Tc=25

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2SK3888-01MR

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

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2SK3888-01MR

2SK3880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOSIV) 2SK3880 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.35 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 5.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 640 V) Enhancement model Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute

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2SK3888-01MR

SPECIFICATION Power MOSFET Device Name 2SK3886-01MR Type Name MS5F5814 Spec. No. Jun-28-2004 Date NAME DATE APPROVED DRAWN Jun-28-'04 CHECKED Jun-28-'04 1 / 18 MS5F5814 CHECKED Jun-28-'04 H04-004-05 This m aterial and the inform ation herein is the p roperty of Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. They s hall be neither reprod uced, copied,lent, or disclosed in

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History: H10N65P | MEE4298T | HY3410MF | S2N7002K | WMQ37N03T1 | ME9435 | AOTF9N90

 

 

 

 

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