2SK2767-01 Todos los transistores

 

2SK2767-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2767-01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK2767-01 Datasheet (PDF)

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2SK2767-01

N-channel MOS-FET2SK2767-01FAP-IIS Series 900V 5,5 3,5A 80W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteris

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2SK2767-01

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2SK2767-01

N-channel MOS-FET2SK2760-01FAP-IIS Series 600V 1,2 9A 60W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristi

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2SK2767-01

FUJI POWER MOSFET2SK2765-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFAP-2S SeriesTO-3PFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulators3. SourceUPS (Uninterruptible Power Supply)JEDECDC-DC convertersEIAJ SC-65Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratingsEqui

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History: SE3080G | BSP030 | SWU12N70D | AP3310GH | SWD7N65DA | CS55N25A8R-G | STB100N6F7

 

 
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