2SK1074 Todos los transistores

 

2SK1074 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1074
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK1074 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  inchange semiconductor
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2SK1074

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1074 DESCRIPTION Drain Current ID=3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 800 V DSS GSV Gate-Source Volta

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2SK1074

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2SK1074

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2SK1074

Preliminary Datasheet R07DS0282EJ03002SK1070 (Previous: REJ03G0574-0200)Rev.3.00Silicon N-Channel Junction FET Mar 28, 2011Application Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)311. Drain2. Source23. GateAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage

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History: IPU80R2K4P7

 

 
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