2SK1089 Todos los transistores

 

2SK1089 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1089

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 35 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.035 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK1089 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk1089.pdf Size:183K _update

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N-channel MOS-FET 2SK1089 F-III Series 60V 0,035Ω 35A 80W > Features > Outline Drawing - High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Forward Transconductance > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C),

4.1. 2sk1082.pdf Size:1246K _fuji

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Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 
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