2SK719 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK719
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK719
2SK719 Datasheet (PDF)
2sk711.pdf
2SK711 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK711 High Frequency Amplifier Applications Unit: mmAM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDS -2
2sk715.pdf
Ordering number:EN2543N-Channel Junction Silicon FET2SK715AM Tuner, RF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions AM tuner RF amp, low-noise amp.unit:mm HF low-noise amp.2034A[2SK715]2.24.0Features Adoption of FBET process. Large yfs .0.40.5 Small Ciss. Very low noise figure.0.40.41 2 31 : Source1.3 1.32 : Gate
2sk715u-v-w.pdf
2SK715N-Channel JFETwww.onsemi.com15V, 7.3 to 24mA, 50mSApplications AM Tuner RF Amp, Low-noise Amp HF Low-noise AmpFeaturesElectrical Connection Marking Adoption of FBET Process Large yfs 2 1 : Source K715 Small Ciss2 : GateLOT No. Very Low Noise Figure 3 : DrainSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C 1 3Parameter Symbol
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