2SK1224 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK1224
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PML

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1224

2SK1224 Datasheet (PDF)

..1. Size:63K inchange semiconductor
2sk1224.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1224 DESCRIPTION Drain Current ID=4A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 800 V VGS Gate-Source Voltage

8.1. Size:249K 1
2sk1221.pdf

FUJI POWER MOSFET2SK1221N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS=30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaximum ra

8.2. Size:34K panasonic
2sk1228.pdf

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK12282SK1228Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching1 Wide frequency band Gate-protection diode built-in3 2.5V drive possible2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit0.1 to 0.3Drain-Source voltage VDS 50 V0.4

8.3. Size:89K no
2sk1225 2sk1206.pdf

8.4. Size:61K inchange semiconductor
2sk1222.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1222 DESCRIPTION Drain Current ID=15A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 450 V VGS Gate-Source Voltag

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: