2SK1684 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1684
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PF
Búsqueda de reemplazo de 2SK1684 MOSFET
2SK1684 Datasheet (PDF)
2sk168.pdf
2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper
Otros transistores... 2SK3755 , 2SK3758 , 2SK1206 , 2SK1213 , 2SK1215F , 2SK1217 , 2SK1222 , 2SK1224 , 20N50 , 2SK1685 , 2SK1686 , 2SK1694 , 2SK1695 , 2SK1696 , 2SK387 , 2SK388 , 2SK513 .
History: AOSX32128 | AO3401MI-MS | WMJ36N60C4 | BSB053N03LPG | JMSH0606PGDQ | AONP38324
History: AOSX32128 | AO3401MI-MS | WMJ36N60C4 | BSB053N03LPG | JMSH0606PGDQ | AONP38324
Liste
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