2SK1685 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1685
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO3PF
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2SK1685 datasheet
2sk168.pdf
2SK168 Silicon N-Channel Junction FET Application VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator Outline TO-92 (2) 1. Gate 2. Source 3. Drain 3 2 1 2SK168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage VGDO 30 V Gate to source voltage VGSS 1 V Gate current IG 10 mA Drain current ID 20 mA Channel power dissipation Pch 200 mW Channel temper
Otros transistores... 2SK3758 , 2SK1206 , 2SK1213 , 2SK1215F , 2SK1217 , 2SK1222 , 2SK1224 , 2SK1684 , TK10A60D , 2SK1686 , 2SK1694 , 2SK1695 , 2SK1696 , 2SK387 , 2SK388 , 2SK513 , 2SK520 .
History: RU206B | IRF623FI | SL120N03R | GPT09N50D | CS8N90FA9 | CS3N50B4 | STF23N80K5
History: RU206B | IRF623FI | SL120N03R | GPT09N50D | CS8N90FA9 | CS3N50B4 | STF23N80K5
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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