IRFBF20 Todos los transistores

 

IRFBF20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFBF20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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IRFBF20 datasheet

 ..1. Size:249K  international rectifier
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IRFBF20

PD - 95704 IRFBF20PbF Lead-Free Lead-Free 9/10/04 Document Number 91120 www.vishay.com 1 IRFBF20PbF Document Number 91120 www.vishay.com 2 IRFBF20PbF Document Number 91120 www.vishay.com 3 IRFBF20PbF Document Number 91120 www.vishay.com 4 IRFBF20PbF Document Number 91120 www.vishay.com 5 IRFBF20PbF Document Number 91120 www.vishay.com 6 IRFBF20PbF P

 ..2. Size:168K  international rectifier
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IRFBF20

 ..3. Size:1055K  vishay
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IRFBF20

IRFBF20, SiHFBF20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitve Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 8.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 4.7 Qgd (nC) 21 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

 ..4. Size:1053K  vishay
 irfbf20 sihfbf20.pdf pdf_icon

IRFBF20

IRFBF20, SiHFBF20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitve Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 8.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 4.7 Qgd (nC) 21 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D

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