2SJ234S Todos los transistores

 

2SJ234S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ234S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2SJ234S Datasheet (PDF)

 0.1. Size:54K  hitachi
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2SJ234S

2SJ234(L), 2SJ234(S)Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid driveOutlineDPAK-144123123D1. Gate G2. Drain 3.

 9.1. Size:152K  toshiba
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2SJ234S

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2SJ234S

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2SJ234S

Ordering number:EN3817P-Channel Silicon MOSFET2SJ232Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2085A Low-voltage drive.[2SJ232]4.5 Its height onboard is 9.5mm.1.9 2.610.51.2 1.4 Meets radial taping.1.20.51.60.51 2 31 : Source2 : Drain3 : Gate2.5 2.5SANYO

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History: SED8830MP

 

 
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