2SJ239 Todos los transistores

 

2SJ239 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ239
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC64
 

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2SJ239 Datasheet (PDF)

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Ordering number:EN3817P-Channel Silicon MOSFET2SJ232Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2085A Low-voltage drive.[2SJ232]4.5 Its height onboard is 9.5mm.1.9 2.610.51.2 1.4 Meets radial taping.1.20.51.60.51 2 31 : Source2 : Drain3 : Gate2.5 2.5SANYO

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Ordering number:EN3815P-Channel Silicon MOSFET2SJ230Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2085A Low-voltage drive.[2SJ230]4.5 Its height onboard is 9.5mm.1.9 2.610.51.2 1.4 Meets radial taping.1.20.51.60.51 2 31 : Source2 : Drain3 : Gate2.5 2.5SANYO

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History: BUK9M10-30E | UT3400L-AE3-R | BL3N90-U | STL66N3LLH5

 

 
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