AO3451 Todos los transistores

 

AO3451 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3451
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AO3451 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  aosemi
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AO3451

AO345130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -4.0A RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:327K  aosemi
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AO3451

AO345230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 4A RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:262K  aosemi
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AO3451

AO345430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 5.8A (VGS = 10V)RDS(ON)

 9.3. Size:366K  aosemi
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AO3451

AO345630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.6A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: APT5560AN | FIR75N075G | HY1607M | AP2764AI | TTD120N03AT | AP9916GJ | TTP100N04AT

 

 
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