AO3456 Todos los transistores

 

AO3456 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3456
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AO3456 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  aosemi
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AO3456

AO345630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.6A RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:327K  aosemi
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AO3456

AO345230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 4A RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:262K  aosemi
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AO3456

AO345430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 5.8A (VGS = 10V)RDS(ON)

 9.3. Size:369K  aosemi
 ao3459.pdf pdf_icon

AO3456

AO345930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -2.6A RDS(ON) (at VGS=-10V)

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History: AP4509AGM-HF | LSF55R140GT | C3M0120090D | CJQ4459 | CP650 | QM3016U | AON7462

 

 
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