AO3457 Todos los transistores

 

AO3457 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3457
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AO3457 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  aosemi
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AO3457

AO345730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -4.3A RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:327K  aosemi
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AO3457

AO345230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 4A RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:262K  aosemi
 ao3454.pdf pdf_icon

AO3457

AO345430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 5.8A (VGS = 10V)RDS(ON)

 9.3. Size:366K  aosemi
 ao3456.pdf pdf_icon

AO3457

AO345630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.6A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: APQ5ESN40A | IXFP3N50PM | AP1203GH | VBQF1310 | VS4802GMM | PM505BA | NVMFS6H852NL

 

 
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