AO3457 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO3457
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO3457
AO3457 Datasheet (PDF)
ao3457.pdf
AO345730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -4.3A RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao3452.pdf
AO345230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 4A RDS(ON) (at VGS=10V)
ao3454.pdf
AO345430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 5.8A (VGS = 10V)RDS(ON)
ao3456.pdf
AO345630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.6A RDS(ON) (at VGS=10V)
ao3459.pdf
AO345930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -2.6A RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao3451.pdf
AO345130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -4.0A RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao3453.pdf
AO345330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) -30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -2.6A RDS(ON) (at VGS=-10V)
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Liste
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