AO3459 Todos los transistores

 

AO3459 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3459

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AO3459 datasheet

 ..1. Size:369K  aosemi
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AO3459

AO3459 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -2.6A RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:327K  aosemi
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AO3459

AO3452 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 4A RDS(ON) (at VGS=10V)

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AO3459

AO3454 30V N-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = 30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 5.8A (VGS = 10V) RDS(ON)

 9.3. Size:366K  aosemi
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AO3459

AO3456 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.6A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: SI2345DS | MTD20N06HDLT4G | CM10N60AFZ | SMK1265FD | ME2602 | SMK1350F | AGM612MBP

 

 

 

 

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