AO3459 Todos los transistores

 

AO3459 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3459
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AO3459 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  aosemi
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AO3459

AO345930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -2.6A RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:327K  aosemi
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AO3459

AO345230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 4A RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:262K  aosemi
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AO3459

AO345430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 30V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 5.8A (VGS = 10V)RDS(ON)

 9.3. Size:366K  aosemi
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AO3459

AO345630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.6A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AOB7S60L | IRFS5615PBF | SI8424CDB | RU1H35Q | HSS3401A | AO6424 | AFP8473

 

 
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