AO3493 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO3493
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 20 nC
   Tiempo de subida (tr): 37 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO3493

AO3493 Datasheet (PDF)

..1. Size:330K aosemi
ao3493.pdf

AO349320V P-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V)RDS(ON)

9.1. Size:282K aosemi
ao3494.pdf

AO349420V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V)RDS(ON)

9.2. Size:327K aosemi
ao3498.pdf

AO349830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. Size:315K aosemi
ao3495.pdf

AO349520V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-4.5V) -5A RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

9.4. Size:308K aosemi
ao3499.pdf

AO349920V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-10V) -3.5A RDS(ON) (at VGS= -10V)

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Liste

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