AO3493 Todos los transistores

 

AO3493 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3493

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AO3493 datasheet

 ..1. Size:330K  aosemi
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AO3493

AO3493 20V P-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON)

 9.1. Size:282K  aosemi
ao3494.pdf pdf_icon

AO3493

AO3494 20V N-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V) RDS(ON)

 9.2. Size:327K  aosemi
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AO3493

AO3498 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:315K  aosemi
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AO3493

AO3495 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-4.5V) -5A RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

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