AO3494 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO3494
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
Encapsulados: SOT23
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AO3494 datasheet
ao3494.pdf
AO3494 20V N-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V) RDS(ON)
ao3493.pdf
AO3493 20V P-Channel MOSFET General Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON)
ao3498.pdf
AO3498 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)
ao3495.pdf
AO3495 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-4.5V) -5A RDS(ON) (at VGS= -4.5V)
Otros transistores... AO3451 , AO3452 , AO3453 , AO3454 , AO3456 , AO3457 , AO3459 , AO3493 , IRF540N , AO3495 , AO3498 , AO3499 , AO4262E , AO4264E , AO4266E , AO4268 , AO4290A .
History: SI2312BDS-T1 | CM100N03 | AGM612MBP
History: SI2312BDS-T1 | CM100N03 | AGM612MBP
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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