AO3495 Todos los transistores

 

AO3495 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3495
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AO3495 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  aosemi
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AO3495

AO349520V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=-4.5V) -5A RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

 9.1. Size:282K  aosemi
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AO3495

AO349420V N-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = 20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = 3A (VGS = 4.5V)RDS(ON)

 9.2. Size:330K  aosemi
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AO3495

AO349320V P-Channel MOSFETGeneral Description Features Low RDS(ON) VDS = -20V RoHS and Halogen-Free Compliant ID = -3A (VGS = -4.5V)RDS(ON)

 9.3. Size:327K  aosemi
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AO3495

AO349830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Low RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant ID (at VGS=10V) 3.8A RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: CED6056 | DMG4N65 | UT3N06G-AB3-R | BSC12DN20NS3G | 2SK134 | 2SJ476-01S | UPA2463T1Q

 

 
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