AO4268 Todos los transistores

 

AO4268 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4268
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AO4268 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  aosemi
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AO4268

AO4268TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 19A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:388K  aosemi
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AO4268

AO4262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:390K  aosemi
 ao4264e.pdf pdf_icon

AO4268

AO4264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:332K  aosemi
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AO4268

AO4264CTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: NCE65TF099F | P06P03LDG

 

 
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