AOI294A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOI294A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-251A

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AOI294A datasheet

 ..1. Size:600K  aosemi
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AOI294A

AOD294A/AOI294A TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 55A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:374K  aosemi
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AOI294A

AOD294A/AOI294A TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 55A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
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AOI294A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI294A FEATURES Drain Current I = 55A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:612K  aosemi
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AOI294A

AOD296A/AOI296A TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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