AOI296A Todos los transistores

 

AOI296A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOI296A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A
 

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AOI296A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  aosemi
 aoi296a.pdf pdf_icon

AOI296A

AOD296A/AOI296ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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AOI296A

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor AOI296AFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

 9.1. Size:374K  aosemi
 aoi294a.pdf pdf_icon

AOI296A

AOD294A/AOI294ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 55A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:273K  inchange semiconductor
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AOI296A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI294AFEATURESDrain Current I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 12m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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History: MMP6975 | SSW80R160S2

 

 
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