AON2392 Todos los transistores

 

AON2392 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON2392

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 4.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 64 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.032 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN2x2C

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON2392

 

AON2392 Datasheet (PDF)

1.1. aon2392.pdf Size:322K _aosemi

AON2392
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AON2392 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V • Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 8A • Low RDS(ON) • Logic driven RDS(ON) (at VGS=10V) < 32mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 39mΩ Applications • Home Automation and IoT • VOIP applications DFN 2x2C D Top View Bottom View D S

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