AON2392 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON2392 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: DFN2X2C
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Búsqueda de reemplazo de AON2392 MOSFET
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AON2392 datasheet
aon2392.pdf
AON2392 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 8A Low RDS(ON) Logic driven RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOI2606, AOI2610, AOI2610E, AOI2614, AOI66406, AOK60N30L, AOL1404G, AOL1454G, K4145, AON3414, AON3820, AON5802BG, AON5816, AON6144, AON6152, AON6154, AON6156
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HGP046NE6AL | JFAM50N50C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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