AON2392 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON2392
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2C
Búsqueda de reemplazo de AON2392 MOSFET
AON2392 Datasheet (PDF)
aon2392.pdf

AON2392TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 8A Low RDS(ON) Logic driven RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOI2606 , AOI2610 , AOI2610E , AOI2614 , AOI66406 , AOK60N30L , AOL1404G , AOL1454G , NCEP15T14 , AON3414 , AON3820 , AON5802BG , AON5816 , AON6144 , AON6152 , AON6154 , AON6156 .
History: JMSH1003TC | 2SK777 | ZVNL120GTC
History: JMSH1003TC | 2SK777 | ZVNL120GTC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
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