AON6224 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON6224
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de AON6224 MOSFET
AON6224 Datasheet (PDF)
aon6224.pdf
AON6224100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6224a.pdf
AON6224ATM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Logicl Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6220.pdf
AON6220TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6226.pdf
AON6226TM 100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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