AON6354 Todos los transistores

 

AON6354 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6354
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de AON6354 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AON6354 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  1
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6354

AON635430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:346K  aosemi
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6354

AON635430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:344K  aosemi
 aon6358.pdf pdf_icon

AON6354

AON635830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6354

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON6262E , AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 , AON6284A , AON6312 , AON6314 , AO3407 , AON6358 , AON6360 , AON6362 , AON6366E , AON6368 , AON6370 , AON6372 , AON6380 .

History: H5N2008P | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | SWN4N80D | QM4006M6

 

 
Back to Top

 


 
.