AON6792 Todos los transistores

 

AON6792 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6792
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6792 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  aosemi
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AON6792

AON679230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6792

AON679030V N-Channel MOSFETTMSRFET General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V)with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

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AON6792

AON679430V N-Channel SRFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6792

AON679630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: IXTA160N04T2 | SQS460EN | IPU60R1K0CE | NP60N04VDK | FS100KMJ-03F | FML20N50ES | AON6266E

 

 
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