IRFD9110 Todos los transistores

 

IRFD9110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7(max) nC

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: HD-1

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IRFD9110 datasheet

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IRFD9110

 ..2. Size:1810K  international rectifier
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IRFD9110

PD- 95921 IRFD9110PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91138 www.vishay.com 1 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 2 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 3 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 4 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 5 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 6 IRFD9110PbF Peak Diode R

 ..3. Size:1639K  vishay
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IRFD9110

IRFD9110, SiHFD9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.2 P-Channel Qgd (nC) 4.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

 ..4. Size:1640K  vishay
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IRFD9110

IRFD9110, SiHFD9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.2 P-Channel Qgd (nC) 4.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

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