AON6994 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6994

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DFN5X6D

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AON6994 datasheet

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AON6994

AON6994 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6994

AON6998 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6994

AON6996 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6994

AON6992 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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