AON6996 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6996

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DFN5X6D

 Búsqueda de reemplazo de AON6996 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AON6996 datasheet

 ..1. Size:490K  aosemi
 aon6996.pdf pdf_icon

AON6996

AON6996 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:350K  aosemi
 aon6998.pdf pdf_icon

AON6996

AON6998 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:353K  aosemi
 aon6992.pdf pdf_icon

AON6996

AON6992 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:349K  aosemi
 aon6994.pdf pdf_icon

AON6996

AON6994 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON6764, AON6792, AON6794, AON6796, AON6982, AON6984, AON6992, AON6994, 2N7000, AON6998, AON7140, AON7230, AON7232, AON7246E, AON7262E, AON7264E, AON7318