AOT2142L Todos los transistores

 

AOT2142L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOT2142L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1438 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AOT2142L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  aosemi
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AOT2142L

AOT2142L40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:320K  1
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AOT2142L

AOT2144L/AOB2144L40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:372K  aosemi
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AOT2142L

AOT2146L/AOB2146LTM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:384K  aosemi
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AOT2142L

AOT2144L/AOB2144L40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: 2SK2677 | NCEP8818AS

 

 
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