IRFE230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFE230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFE230

IRFE230 Datasheet (PDF)

..1. Size:198K international rectifier
irfe230.pdf

PD - 91715BIRFE230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6798UHEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6798USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/557]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE230 200V 0.40 5.5ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged

9.1. Size:199K international rectifier
irfe210.pdf

PD - 91722BIRFE210REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6784UHEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6784USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/556]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE210 200V 1.5 2.25ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged

9.2. Size:228K international rectifier
irfe220.pdf

PD - 93984REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE220HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6790USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/555] 200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE220 200V 0.80 2.8ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged to be a close r

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