AP20N15GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP20N15GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP20N15GH

AP20N15GH Datasheet (PDF)

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ap20n15gh.pdf

AP20N15GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 150V Lower Gate Charge RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP20N15 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDSprocess technology to achieve

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AP20N15GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 150V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP20N15 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the low

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AP20N15GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 150VD Single Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 20AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDTO-220CFM(I)

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Liste

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