IRFE320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFE320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFE320

IRFE320 Datasheet (PDF)

..1. Size:229K international rectifier
irfe320.pdf

PD - 93985REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE320HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6792USURFACE MOUNT (LCC-18) JANTXV2N6792U[REF:MIL-PRF-19500/555] 400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE320 400V 1.8 1.8AThe leadless chip carrier (LCC) package represents theLCC-18logical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged t

9.1. Size:199K international rectifier
irfe330.pdf

PD - 91718BIRFE330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800UHEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6800USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/557]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE330 400V 1.0 3.0ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged t

9.2. Size:135K international rectifier
irfe310.pdf

PD - 91782IRFE310REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6786UHEXFET TRANSISTOR JANTXV2N6786U[REF:MIL-PRF-19500/556]N - CHANNEL 400Volt, 3.6, HEXFETProduct SummaryThe leadless chip carrier (LCC) package representsPart Number BVDSS RDS(on) IDthe logical next step in the continual evolution ofIRFE310 400V 3.6 1.25Asurface mount technology. T

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