AP83T03GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP83T03GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP83T03GJ

AP83T03GJ Datasheet (PDF)

..1. Size:166K ape
ap83t03gj.pdf

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0.1. Size:70K ape
ap83t03gh-hf ap83t03gj-hf.pdf

6.1. Size:99K ape
ap83t03gh j-hf.pdf

AP83T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,S

6.2. Size:118K ape
ap83t03gm-hf.pdf

AP83T03GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 6mD Fast Switching Characteristic ID 16AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP83T03 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technolo

6.3. Size:58K ape
ap83t03gmt-hf.pdf

AP83T03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 6m Low On-resistance ID 72AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,ruggediz

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Liste

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