IRFE420 Todos los transistores

 

IRFE420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFE420
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.7(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18
 

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IRFE420 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  international rectifier
 irfe420.pdf pdf_icon

IRFE420

PD - 93986REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE420HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6794USURFACE MOUNT (LCC-18) JANTXV2N6794U[REF:MIL-PRF-19500/555] 500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE420 500V 3.0 1.4AThe leadless chip carrier (LCC) package represents theLCC-18logical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged t

 9.1. Size:198K  international rectifier
 irfe430.pdf pdf_icon

IRFE420

PD - 91719BIRFE430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802UHEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6802USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/557]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE430 500V 1.50 2.5ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged

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