IRFE420 Todos los transistores

 

IRFE420 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFE420

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.45 Ohm

Encapsulados: LCC18

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IRFE420 datasheet

 ..1. Size:136K  international rectifier
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IRFE420

PD - 93986 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE420 HEXFET TRANSISTORS JANTX2N6794U SURFACE MOUNT (LCC-18) JANTXV2N6794U [REF MIL-PRF-19500/555] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE420 500V 3.0 1.4A The leadless chip carrier (LCC) package represents the LCC-18 logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged t

 9.1. Size:198K  international rectifier
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IRFE420

PD - 91719B IRFE430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802U HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802U SURFACE MOUNT (LCC-18) [REF MIL-PRF-19500/557] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE430 500V 1.50 2.5A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged

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