IRFE430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFE430
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFE430

IRFE430 Datasheet (PDF)

..1. Size:198K international rectifier
irfe430.pdf

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9.1. Size:136K international rectifier
irfe420.pdf

PD - 93986REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE420HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6794USURFACE MOUNT (LCC-18) JANTXV2N6794U[REF:MIL-PRF-19500/555] 500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE420 500V 3.0 1.4AThe leadless chip carrier (LCC) package represents theLCC-18logical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged t

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Liste

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